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    美國開發低溫快速生產碳化硅厚膜外延技術
    2020年09月21日 發布 分類:行業要聞 點擊量:711
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    最近,由美國空軍研究實驗室(Air Force Research LabAFRL)資助的“新型低溫前驅體4H-SIC外延加工”研究項目獲得成功。這將助力碳化硅半導體市場的擴張。

    碳化硅 

    碳化硅 

    SIM的CVD和PVT工作平臺

    高壓器件需要較厚的碳化硅薄膜,較低的反應溫度可以減少原材料消耗,并降低能耗。“在未來幾十年內,以高增長率和較低溫度生產更厚的器件質量無缺陷碳化硅將對快速增長的碳化硅功率器件市場大有裨益。”,SMI公司(氣相沉積系統開發商)總裁Gary s.Tompa博士評價。

    該項目的參與者包括美國SMI公司和南卡羅萊納州大學(氯化物和氟化物對CVD生長的促進)、摩根州立大學、密西西比州立大學(碳化硅生長及器件研究)等高校的研究人員。

    增加前驅體濃度可以獲得更快的生長速率,也會導致硅顆粒或液滴成核,一旦掉落在襯底上,就會產生器件缺陷。可以通過低于1500℃的較低生長溫度解決(減少氣相預反應),但通常也會使生長速率降低。另外就是參與反應的石墨部件在高溫下的降解會改變熱曲線,即工藝條件不穩定。因此,低溫條件下加快碳化硅生長的,會對反應部件的消耗和生產速率造成影響。項目必須開發出新型前驅體以及新的低溫工藝技術。

    研究團隊開發一種化學氣相沉積化學/工藝,在低于標準溫度的情況下支持高增長率,同時通過有效地消除硅滴和其他缺陷來保持質量。其結果將使功率器件用4H-SiC外延層以相對較高的速率生長,并具有更大的工藝工具彈性。

    編譯 YUXI


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